[发明专利]形成半导体结构的方法和半导体结构在审
| 申请号： | 202110061118.5 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN113206041A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 辛格·古尔巴格;王柏仁;庄坤苍 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法和半导体结构。形成包括具有不同的厚度的多个基体区域的多个绝缘体上半导体(SOI)场效晶体管可经由选择性地减薄顶部半导体层的一区域且同时避免减薄顶部半导体层的一附加的区域。可使用氧化制程或蚀刻制程，以减薄顶部半导体层的此区域，并且可使用图案化的氧化阻障遮罩或蚀刻遮罩，以预防顶部半导体层的所述附加的部分的氧化或蚀刻。在选择性减薄制程步骤之前或之后可形成多个浅沟槽隔离结构。形成具有不同的耗尽区域配置的多个场效晶体管可使用顶部半导体层的多个图案化的部分的多种厚度。例如，可提供部分耗尽的SOI场效晶体管和完全耗尽的SOI场效晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110061118.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种将面板连接至支撑构件的组件
- 下一篇：高压罐的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
