[发明专利]发光二极管外延片制备方法有效
| 申请号： | 202110061147.1 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112993095B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 高百卉;林晓文;张炳伟 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。将第一衬底远离外延层的表面与第二衬底相连，第一衬底与第二衬底相互平行，且第一衬底在第二衬底的表面上的投影位于第二衬底的表面内。第二衬底对第一衬底以及第一衬底上的外延层起到支撑定位作用，在外延层上可以稳定涂覆光刻胶，并将第一衬底及第二衬底放置在曝光机上进行后续曝光显影等操作。实现外延层上的图案的稳定制备，破损的第一衬底及第一衬底上的外延层可以继续发光二极管外延片的制备，第一衬底及第一衬底上的外延层不至于报废，减小浪费并提高同炉生产的发光二极管外延片的制备成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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