[发明专利]半导体器件处理方法有效
| 申请号： | 202110061590.9 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112864013B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 张健 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件处理方法，包括：提供一半导体器件，所述半导体器件具有相对的待蚀刻面和非蚀刻面；在所述非蚀刻面上形成保护层；将所述半导体器件置于承载装置上，使所述待蚀刻面朝上，并将所述半导体器件的边缘夹设于多个插销之间；旋转所述承载装置，并向所述待蚀刻面喷洒蚀刻液，对所述待蚀刻面蚀刻；去除所述保护层；其中，所述保护层不溶于所述蚀刻液。本发明的半导体器件处理方法，由于在非蚀刻面上形成了保护层，在蚀刻过程中，蚀刻液不能去除该保护层，从而有效避免了蚀刻液流至半导体器件的非蚀刻面边缘而造成该边缘损伤，保证非蚀刻面的结构完整性，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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