[发明专利]一种低接触热阻压接型半导体器件结构、制造方法在审
| 申请号： | 202110062006.1 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112885797A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李辉;王晓;姚然;刘人宽;赖伟;于仁泽;朱哲研;余越;何蓓 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L23/473;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 杨柳岸 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件生产技术领域。涉及一种低接触热阻压接型半导体器件结构、制造方法，其中低接触热阻压接型半导体器件结构，包括多个压接元件，相邻两个压接元件之间设有高热导率、电导率的填充层；低接触热阻压接型半导体器件的制造方法，包括如下步骤：第一步，将液态金属热界面材料均匀喷涂在各压接元件表面；第二步，将各压接元件按半导体器件结构组装并放置在固定夹具中；第三步，采用步进式加压法对半导体器件进行封装。本发明中半导体器件具有高热导率、电导率的优点，采用的制作方法具有工艺过程简单，经济成本较低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 热阻压接型 半导体器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大学，未经重庆大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110062006.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种砷污染耕地原位钝化调理剂及其使用方法
- 下一篇：自动上下料系统
