[发明专利]用于电子束曝光的芯片内嵌复合物及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110064658.9 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112820637B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 张昭宇;黄要然;刘歌行;李浩川 | 申请（专利权）人： | 香港中文大学（深圳） |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 黄志云 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体芯片制造领域技术领域，提供了一种用于电子束曝光的芯片内嵌复合物的制备方法，该制备方法包括：提供一复合结构，其中，所述复合结构包括第一基底、设置在所述第一基底表面的导电层和设置在所述导电层的背离所述第一基底的表面上的芯片阵列；在所述芯片阵列的外表面铺设保护层，所述保护层覆盖所述芯片阵列；采用聚合物溶液对所述复合结构和所述保护层进行封装固化处理；除去所述保护层，得到芯片内嵌复合物。该方法可充分利用芯片光刻面积、利用小芯片进行旋胶，具有用料成本低、操作便捷、操作时间短、底面导电等特点，适合广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子束 曝光 芯片 复合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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