[发明专利]一种铁磁二维材料FeGeTe的CVD制备方法

摘要

本发明涉及磁性二维材料的CVD制备技术，具体为一种铁磁二维材料Fe3GeTe2的CVD制备方法。本发明首次利用化学气相沉积法生长制得铁磁二维材料Fe3GeTe2，操作简单，制备过程中可控性较强，所得到的薄膜膜层致密且均匀，生成的二维材料呈现三角形或六边形，热稳定性好，空气稳定性高，最终获得的二维材料质量较高；并提供了通过控制生长过程中CVD管内的压强变化来控制最终所得样品的厚度，为Fe3GeTe2二维材料的制备提供了一个新的方法以及调控膜厚的新路径。