[发明专利]半导体真空设备在审
| 申请号： | 202110067124.1 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112768381A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高飞翔;董怀宝;李世敏 | 申请（专利权）人： | 上海广川科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 陶金龙;吴世华 |
| 地址： | 200444 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体真空设备，包括：第一腔室，所述第一腔室的一侧具有第一开口，另一侧具有与所述第一开口相对设置的第二开口，所述第一腔室内设有晶圆支撑单元，底部设有第一通孔和第二通孔。所述第一腔室的顶部设有开口、环绕所述开口的环形凹槽、填充所述环形凹槽的密封圈以及覆盖所述开口的顶盖。本发明提供的半导体真空设备，通过在所述第一腔室的顶部设置带有排气孔的环形凹槽，保障了第一腔室从大气状态抽取至真空态的速度，提高了设备利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 真空设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
