[发明专利]一种含硫空位的硫化铟镉-硫化镉二维复合材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110067655.0 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112892556A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 尹双凤;谭宇轩;柴照明;邓欣欣;白张君;陈浪 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | B01J27/04 | 分类号： | B01J27/04;C07C47/54;C07C45/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410082 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种含硫空位的硫化铟镉‑硫化镉(CdIn |
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| 搜索关键词： | 一种 空位 硫化 二维 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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