[发明专利]一种红外光谱选择性低发射率材料的设计与制备方法

摘要

本发明涉及一种红外光谱选择性低发射率材料的设计与制备方法，以Ge和Si作为高折射率介质材料，以TiO2和SiO2作为低折射率介质材料，以石英基片作为基材，先通过理论设计得到一维异质结光子晶体结构，其周期数为4～6周期，Ge层、TiO2层、Si层和SiO2层的厚度分别为0.60～0.80μm、1.1～1.5μm、0.27～0.32μm和0.67～0.72μm；再采用光学镀膜机(电子束沉积)制备一维异质结光子晶体，各种介质材料的沉积速率分别为0.2～0.5nm/s(Ge)、0.5～0.8nm/s(TiO2)、0.2～0.5nm/s(Si)和0.5～0.8nm/s(SiO2)，石英基片的温度为220～280℃，光学镀膜机沉积腔内的真空度为0.9×10‑3～1.0×10‑3Pa，沉积过程的加速电压及电流分别为5～8kV和22～26mA。本发明有效解决实现目标低红外发射率和散发发热部件热量之间的矛盾，从而大大提高目标的红外隐身效能。