[发明专利]一种半导体晶片机械抛光加工系统及方法在审
申请号: | 202110069738.3 | 申请日: | 2019-05-23 |
公开(公告)号: | CN112894594A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 黄彬庆 | 申请(专利权)人: | 黄彬庆 |
主分类号: | B24B29/02 | 分类号: | B24B29/02;B24B41/06;H01L21/67 |
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地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体晶片机械抛光加工系统及方法,其结构包括抓取机构、伺服器、控制面板、立柱、抛光基座、设备主体、固定地脚,固定地脚设有四个,且通过扣合方式安装于设备主体底部,设备主体顶部前端设有控制面板,立柱设有两个,且通过扣合方式安装于设备主体左右两侧。本发明抓取机构在切换不同直径大小的晶片加工时,通过调位组件控制定位机构内的负压疏通值,且能够分别转换负压外环与负压内环的单独吸附,实现了不同直径范围的外置吸孔变换,以便于根据不同大小的晶片进行局限调整,确保了吸附力度的平均,避免造成晶片变形损坏。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 晶片 机械抛光 加工 系统 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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