[发明专利]一种碳化硅功率模块、器件及其老化状态识别方法有效
| 申请号： | 202110070059.8 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112885824B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 兰欣;朱士伟;于功山;王兴华;刘祥龙;谢国芳;吴平 | 申请（专利权）人： | 元山（济南）电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/58;H01L29/16;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 陈曦 |
| 地址： | 250118 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种碳化硅功率模块、器件及其老化状态识别方法，用以解决现有的考察碳化硅功率模块老化状态的方法不能实时反映碳化硅功率模块老化状态的技术问题。模块包括：覆铜陶瓷基板、铜基板、焊料层、MOS芯片以及预设数量的热电偶；焊料层与覆铜陶瓷基板复合，且覆铜陶瓷基板的中心位置固定有热电偶；MOS芯片固定于覆铜陶瓷基板上，且MOS芯片对应的铜基板底部位置固定有热电偶。识别方法包括：实时获取碳化硅功率模块上预设数量的热电偶分别对应的温度值，以确定温度分布矩阵；确定碳化硅功率模块对应的热阻值；通过预存的热阻值与老化状态关系，确定碳化硅功率模块的老化状态。本申请通过上述方法可以实时反映碳化硅功率模块的老化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 功率 模块 器件 及其 老化 状态 识别 方法 | ||
【主权项】：
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