[发明专利]一种硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110070613.2 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112661188B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 郑学军;王经纬;何文远;陈隆源;王银民 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01C3/20;H01G11/24;H01G11/86 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 张伟;魏娟 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料及其制备方法和在双电层超级电容器中的应用。硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料具有层状微米花结构；所述层状微米花结构由硫氰酸铵插层二硫化钼纳米片组装构成；其制备方法是将钼源及硫脲在水介质中进行水热反应，即得。该方法工艺简单、成本低、条件温和、所需设备简单、对环境友好，可以实现大规模生产。将硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料用于双电层超级电容器中，其具有优异的电容性能和循环稳定性，可以广泛应用在可穿戴电化学储能或柔性电子产品等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氰酸 铵插层 二硫化钼 微米 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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