[发明专利]全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110070630.6 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112768514B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 詹智颖 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 严诚 |
| 地址： | 250000 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。全环绕闸极垂直贯穿式晶体管包括基底、器件单元和闸极，其中，至少两个器件单元依次重叠设置在基底上，器件单元上开设有垂直于基底的过孔，过孔贯穿全部器件单元；闸极设置在过孔内、并与全部器件单元连接。这样，通过在多个重叠设置的器件单元上开设贯穿的过孔，并在过孔内一次性形成闸极，使闸极与全部器件单元连接，相当于全部器件单元共用一个闸极，或者说，闸极的某一段即可对一个器件单元进行控制，整个闸极可以控制多个器件单元，使闸极一次性形成，闸极上各个部位受到的负载相同，各个器件单元之间不会存在明显的电性差异。 | ||
| 搜索关键词： | 环绕 垂直 贯穿 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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