[发明专利]感测芯片及MEMS传感器在审
| 申请号： | 202110073226.4 | 申请日： | 2021-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN112822616A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 邱冠勋;周宗燐 | 申请（专利权）人： | 潍坊歌尔微电子有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 梁馨怡 |
| 地址： | 261000 山东省潍坊市潍坊高新区新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种感测芯片及MEMS传感器，包括：背极，所述背极上设有凸出于所述背极表面的凸部；振膜，所述振膜与所述背极层叠且间隔设置，所述凸部设置在所述背极朝向所述振膜的表面上；所述振膜朝向所述背极形变时，所述振膜与所述凸部接触的部位的厚度大于所述振膜未与所述凸部接触的部位的厚度。本发明技术方案能够提高振膜与背极的凸部接触的部位的抵抗冲击荷载和承受震动作用的能力，降低振膜由于与凸部接触时因应力集中而导致破裂的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 mems 传感器 | ||
【主权项】：
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