[发明专利]一种单光子源集成器件加工方法有效
| 申请号： | 202110076337.0 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112993096B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 江萍;马娜;武文轩;刘鹏;张会 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人： | 周新楣 |
| 地址： | 266580 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种单光子源集成器件加工方法，包括：通过分子束外延(MBE)工艺，在生长衬底上依次生长牺牲层和自组装量子点层；通过外延层剥离(ELO)工艺，将自组装量子点层转移到器件衬底上。通过本申请，量子点薄膜层可以转移到任意半导体衬底或金属材料衬底等器件衬底上，易于实现集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光子 集成 器件 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国石油大学（华东），未经中国石油大学（华东）许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110076337.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
