[发明专利]Topcon电池的光注入钝化方法有效
| 申请号： | 202110080784.3 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112768564B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;万义茂;袁声召 | 申请（专利权）人： | 东方日升（常州）新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 唐菲 |
| 地址： | 213200 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种Topcon电池的光注入钝化方法，属于Topcon太阳能电池技术领域。Topcon电池的光注入钝化方法包括：对金属化后的Topcon电池进行光注入并辅以加热以实现钝化，光注入的辐射强度为2～10suns，光注入的时间为100～300s。加热过程包括加热阶段、降温阶段和保温阶段，加热阶段包括将Topcon电池加热至表面温度为第一温度，降温阶段包括将Topcon电池的表面温度从第一温度降至第二温度，保温阶段为Topcon电池在第二温度进行保温，第一温度为300～650℃，第二温度为200～250℃。该方法能够有效地提升Topcon电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | topcon 电池 注入 钝化 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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