[发明专利]三维存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202110086011.6 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112768461B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王启光 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 林锦辉;刘景峰 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 提供了一种三维(3D)存储器件及其制造方法。所述3D存储器件包括衬底、绝缘层、栅极材料层和垂直结构。所述绝缘层和所述栅极材料层设置在所述衬底上并且在垂直方向上交替堆叠。所述垂直结构沿所述垂直方向穿过所述栅极材料层。所述垂直结构包括半导体层和捕获层。所述半导体层沿所述垂直方向延长。所述捕获层在水平方向上围绕所述半导体层。所述捕获层包括在所述垂直方向上对齐并且相互隔开的捕获区段。可以通过相互隔开的所述捕获区段改善所述3D存储器件的电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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