[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110087124.8 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112768366A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制备方法，包括：具有多个电路区块的衬底，且衬底具有相对的第一表面以及第二表面，至少一贯穿衬底而电隔离多个电路区块的隔离结构，设置于衬底第一表面上的绝缘层，以及设置于绝缘层上的多个测试部件，且多个测试部件各位于一个对应的电路区块的纵向投影上方，其中，多个测试部件中的其中之二用以被施加测试电压而使对应的两个电路区块中的衬底电压具有一差值，本发明提供的半导体结构，通过在位于每个电路区块纵向投影上方的绝缘层上设置测试部件，并对其中之二施加测试电压，而使对应的两个电路区块中的衬底电压具有一差值，从而可以通过检测这两个电路区块之间漏电流的大小来判断隔离结构上是否有金属残留物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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