[发明专利]一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件有效
| 申请号： | 202110087678.8 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112904598B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;张秀全;刘阿龙;连坤;刘桂银;杨超;张涛 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/03 | 分类号： | G02F1/03 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开的一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括依次层叠的第一功能薄膜层、第一隔离层、第二隔离层、第二功能薄膜层和衬底层；第二功能薄膜层中与第二隔离层接触的表面的粗糙度大于第二隔离层中与第一隔离层接触的表面的粗糙度，第二隔离层中与第一隔离层接触的表面的粗糙度大于第一隔离层中与第一功能薄膜层接触的表面的粗糙度；其中，第一功能薄膜层采用电光晶体材料，第二功能薄膜层采用宽禁带半导体材料。在第二隔离层和衬底层之间增设具有禁带宽度大、抗辐射能力强、击穿电场强度好、耐高温等特点的宽禁带半导体材料，能够增强第一功能薄膜层抵抗恶劣环境的能力，满足电子元器件在恶劣的环境下稳定工作的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电光 晶体 薄膜 制备 方法 电子元器件 | ||
【主权项】：
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