[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110090045.2 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112750789A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李冰寒;江红;王哲献;高超;于涛易 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L27/11517;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种分栅快闪存储器及其制备方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成有浮栅层和掩模层。在掩模层上形成一沟槽，沟槽贯穿掩模层和浮栅层。形成字线，字线填充所述沟槽。去除掩模层。在浮栅层上形成控制栅侧墙，控制栅侧墙覆盖字线的侧壁；且控制栅侧墙靠近字线的侧壁垂直于浮栅层的表面。因此，本发明中的所述控制栅侧墙覆盖所述字线的侧壁，且所述控制栅侧墙上没有覆盖膜层，可直接将所述控制栅侧墙的引出。此外，本发明先形成字线，然后在字线的侧壁形成控制栅侧墙，且所述控制栅侧墙靠近字线的侧壁垂直于浮栅层的表面。无需刻蚀控制栅侧墙，从而避免控制栅侧墙靠近字线的一端出现尖端，以避免漏电流的出现，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 分栅快 闪存 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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