[发明专利]集成电路后仿真参数网表的生成方法在审
| 申请号： | 202110090095.0 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112765916A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 曹云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/327 | 分类号： | G06F30/327;G06F30/3308;G06F30/398 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路后仿真参数网表的生成方法，包括：从仿真电路中生成电路网表，电路网表包含多级子电路ID号，对所述电路网表内的子电路ID号进行排序，以避免重复的子电路ID号；从排序后的电路网表和版图中进行寄生参数网表的提取，所述寄生参数网表包括电子元件ID号和电子元件的寄生电容参数，所述电子元件ID号和所述寄生电容参数一一对应；根据电子元件ID号嵌入到最末级的子电路ID中，在电路网表中查出对应的子电路，并在其中嵌入对应的寄生电容参数，以形成后仿真参数网表。所得的仿真网表就是含寄生电容参数的层次化网表。相比于现有技术，本发明可以得到占用空间更小的后仿真参数网表，可以使仿真时间缩短，节约资源和时间。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 仿真 参数 生成 方法 | ||
【主权项】：
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