[发明专利]检测方法在审
| 申请号： | 202110093723.0 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112928037A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 徐兴国;张凌越;姜波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种检测方法，用于检测刻蚀液的刻蚀能力，包括：根据第一预设厚度及半导体结构中被去除的部分的顶表面的面积，得到刻蚀每组所述半导体结构后的所述刻蚀液中的刻蚀副产物的含量；然后，根据所述刻蚀液的累计放置时间及所述刻蚀副产物的含量，得到所述刻蚀液的刻蚀速率变化值，将得到的所述刻蚀速率变化值与一阈值进行比较，并根据比较结果判断所述刻蚀液的刻蚀能力是否合格；由此，可以精准的控制更换所述刻蚀液的时机，避免刻蚀液未被充分利用的情况下而被置换掉，造成刻蚀液的浪费以及避免增加废液排放。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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