[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 202110093748.0 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112786693A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李娜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/739;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括提供衬底，在所述衬底上形成沟槽；进行注入能量为500keV～2MeV的离子注入工艺，在所述沟槽之间形成离子注入层；进行激活时间为10min～100min的激活过程，在所述沟槽之间形成沟道。本发明提供的所述半导体器件的制备方法通过调整半导体器件工艺中离子注入工艺的工艺参数并结合调整高温激活工艺条件，使沟槽之间形成的沟道具备底部较为平坦的圆弧形貌，从而提升所述半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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