[发明专利]晶体管器件版图的形成方法在审
| 申请号： | 202110093839.4 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112928160A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 孙访策;郑舒静;林晓帆;黄冲;张明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/40;H01L21/027;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管器件版图的形成方法，通过缩小第一浮栅子图形在第一方向上的长度，以增大第一浮栅子图形与有源区图形的间距，从而在晶体管器件的制造工艺中，可以使得采用浮栅版图形成的浮栅与采用有源区版图形成的有源区的间距增大，从而可以避免出现阴影区域，进而可以减小漏电，以及可以降低晶体管器件的功耗；以及，对缩小后的第一浮栅子图形进行设计规则检查，以确定缩小后的所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度是否符合设计规则，若否，则沿远离所述有源区图形的方向，对所述第一浮栅子图形进行第一方向上的延伸处理，以增大所述第一浮栅子图形在所述第一方向上的长度，可以避免浮栅图形对应的制造工艺中的浮栅的尺寸过小。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 版图 形成 方法 | ||
【主权项】：
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