[发明专利]一种膜层生长方法、装置、设备及系统有效
| 申请号： | 202110099121.6 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN112951763B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 程磊;熊少游;谭力;付家赫 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种膜层生长方法、装置、设备及系统，可以利用第一站点在待处理晶圆上形成待成膜材料的晶种，利用第二站点在形成有晶种的待处理晶圆上形成待成膜材料的低温膜层，利用第三站点对形成有低温膜层的待处理晶圆进行ICE处理，利用第四站点在低温膜层上形成待成膜材料的高温膜层，这样相比于传统技术中利用第一站点生成晶种和低温膜层，减少了第一站点的工作时间，相比于传统技术中利用第二站点、第三站点和第四站点来形成高温膜层，减少了高温膜层的工作站点数量，利于控制同时减少生长时间，因此可以提高膜层生长效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 方法 装置 设备 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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