[发明专利]一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统有效
| 申请号： | 202110099524.0 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN113161253B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 刘波 | 申请（专利权）人： | 青岛华芯晶电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 杨敬 |
| 地址： | 266000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆片表面杂质污染程度检测系统，包括主控器，和包括红外发射器、红外接收器，以及包括串行数据检测电路和污染程度分析电路；红外接收器将当前时刻的红外线接收情况以高低电平的形式输入给串行数据检测电路处理；所述串行数据检测电路的输出端电性连接所述污染程度分析电路的输入端；所述串行数据检测电路将限定时间内连续检测到的红外线接收情况以高低电平的形式传递给所述污染程度分析电路进行分析；所述污染程度分析电路分析由所述串行数据检测电路传递的电平信号并通过三个输出端分别输出三种不同的红外线接收程度来表现不同的杂质污染程度。本发明能够给工作人员对不同污染程度的晶圆片进行差别性清洗提供直观提示。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆片 表面 杂质 污染 程度 检测 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
