[发明专利]含偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法、应用在审
| 申请号： | 202110100606.2 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112898707A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李良彬;赵浩远 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C08L27/16 | 分类号： | C08L27/16;C08L71/02;C08L33/12;C08K5/134;C08K3/36;C08J5/18;H01M10/0525;H01G11/30;H01G11/48;H01G11/86 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘歌 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种含偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物薄膜及其制备方法和应用，其中，该薄膜利用含偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物的组合物通过熔融挤出法按照预设的工艺进行制备，其中，该组合物按重量百分比计，包括：70～100％偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物，0～20％陶瓷颗粒，0～10％功能树脂和0～5％加工助剂；本发明提供的含偏二氟乙烯‑六氟丙烯共聚物薄膜可以用于锂离子二次电池、超级电容器领域等电化学装置中。 | ||
| 搜索关键词： | 含偏二氟 乙烯 丙烯 共聚物 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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