[发明专利]一种提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法在审
| 申请号： | 202110100756.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113013026A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 徐国庆;兰添翼;刘向阳;乔辉;贾嘉;李向阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L31/18;H01L31/103 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高n型碲镉汞体晶载流子输运参数的方法。本发明利用碲镉汞半导体材料中Te‑Hg键结合能低的特点，通过氩离子束刻蚀在n型碲镉汞体内产生大量的汞填隙原子，在表面形成汞原子的稳态扩散源，汞填隙原子在体内扩散的同时，对材料内部的汞空位进行填充，实现对n型碲镉汞载流子浓度的有效调整；刻蚀过程中，汞填隙原子在氩离子的碰撞中获得能量，扩散过程中能量的释放也会改善材料内部可能存在的应力和缺陷，从而提高n型碲镉汞载流子迁移率。本方法操作简单，工艺周期短，采用该方法处理后的n型材料载流子输运参数得到明显改善，大大提高了材料的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 型碲镉汞体晶 载流子 输运 参数 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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