[发明专利]低介电损耗高储能密度的结构紧密的硼酸盐玻璃陶瓷、制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 202110102830.5 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN113461335B 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 蒲永平;杜欣怡;彭鑫;李润;张倩雯;陈敏;张金波 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C03C10/00 分类号: C03C10/00;C03B32/02;C03B25/00;C03B19/02;C03B5/16;C03B1/00
代理公司: 西安西达专利代理有限责任公司 61202 代理人: 刘华
地址: 710021 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 一种低介电损耗高储能密度的结构紧密的硼酸盐玻璃陶瓷材料,该材料的制备方法为:首先采用了K2CO3、Na2CO3、Nb2O5及H3BO3为原料,按化学式1‑x(K2O‑Na2O‑2Nb2O5)‑xB2O3(0.10≤x≤0.30)配比取料,粉体通过机械球磨混合均匀,退火;经过熔融、冷却成型和退火得到玻璃块体,并通过在800℃保温2h晶化处理制得玻璃陶瓷材料。本发明制备工艺简单,原料价格低廉,制作成本低,室温能够获得线性的电滞回线,储能密度最高达到2.65J/cm3,介电损耗低于0.04,在200℃高温下保证储能效率在96%以上。
搜索关键词: 低介电 损耗 高储能 密度 结构 紧密 硼酸盐 玻璃 陶瓷 制备 方法 应用
【主权项】:
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