[发明专利]紫外发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110103258.4 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112951955B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 刘旺平;梅劲;葛永晖;刘春杨;张武斌 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种紫外发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。p型AlGaN层上层叠包括氮极性AlGaN子层与镓极性AlGaN子层的p型复合欧姆接触层，氮极性AlGaN子层的极性与p型AlGaN层的极性相反，二者所产生的耗尽电场和外延层中自发产生的极化电场的方向相同，缩短耗尽区的宽度，获得低欧姆接触电阻，较低开启电压有利于缓解量子限制斯塔克效应，提高紫外发光二极管的发光效率。稳定的镓极性AlGaN子层作为过渡层连接p型AlGaN层与后续的电极或其他外延结构，有效提高p型复合欧姆接触层整体的质量，最终得到的紫外发光二极管的发光效率得到有效提高。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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