[发明专利]形成包括钒或铟层的结构的方法在审
| 申请号： | 202110103923.X | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113284789A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | E.J.希罗;M.E.吉文斯;谢琦;C.德泽拉;G.A.弗尼 | 申请（专利权）人： | ASMIP私人控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/30;C23C16/36;C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种用于将钒和/或铟层沉积至衬底的表面上的方法和系统，以及使用所述方法形成的结构和装置。示范性方法包括使用循环沉积工艺，将钒和/或铟层沉积至所述衬底的表面上。所述循环沉积工艺可包括将钒和/或铟前体提供至反应室中，并且单独地将反应物提供至反应室中。所述循环沉积工艺可期望地是热循环沉积工艺。示范性结构可包括场效应晶体管结构，如环栅结构。所述钒和/或铟层可用作例如阻隔层或衬层、功函数层、偶极移位器层等。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 包括 结构 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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