[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110104648.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113161462B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层和P型层，所述发光二极管外延片还包括位于所述低温缓冲层和所述高温缓冲层之间的插入层，所述插入层包括第一子层和第二子层，所述第一子层为石墨烯层，所述第二子层为多个周期交替生长的Al膜和Ag膜。该发光二极管外延片可以减少低温缓冲层对于光的吸收损失，从而可以提高二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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