[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110104662.3 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113161453B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层和有源层，所述发光二极管外延片还包括依次层叠在所述有源层上的多个周期交替生长的电子阻挡层和P型层，每个所述电子阻挡层均为AlGaN层，沿所述外延片的层叠方向，每个周期的所述电子阻挡层中的Al组分逐渐降低，厚度逐渐减小，每个周期的所述P型层中的Mg的掺杂浓度逐渐升高。该发光二极管外延片可以增加电子和空穴的波函数在空间分布上的重叠度，从而可以提高LED的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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