[发明专利]红外发光二极管外延片及其制备方法有效
申请号: | 202110104663.8 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN113161458B | 公开(公告)日: | 2022-05-13 |
发明(设计)人: | 李彤;王世俊;邢振远 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 吕耀萍 |
地址: | 215600 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本公开提供了红外发光二极管外延片及其制备方法,属于发光二极管制作领域。制备红外发光二极管外延片时,生长外延层的衬底选用半绝缘砷化镓衬底,可以避免衬底导电。在半绝缘砷化镓衬底上依次生长的第一本征GaAs层、p型GaAs层与第二本征GaAs层,整体的导电性较弱;且第一本征GaAs层与第二本征GaAs层之间的p型GaAs层,可以起到消耗电子的作用,对电流起到阻挡作用,减小漏电电流直接流至半绝缘砷化镓衬底的情况出现。保证电流在红外发光二极管外延层的外延层中稳定流动,保证最终得到的发光二极管外延片的稳定使用。 | ||
搜索关键词: | 红外 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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