[发明专利]三维集成结构及其制造方法有效
申请号: | 202110104921.2 | 申请日: | 2021-01-26 |
公开(公告)号: | CN112908990B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 陈琳;朱宝;孙清清;张卫 | 申请(专利权)人: | 复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L21/822 |
代理公司: | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人: | 黄海霞 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种三维集成结构,第一纳米电容,包括第一硅衬底、第一隔离介质、第一底部金属电极层和第一顶部金属电极层;过渡层,设于所述第一顶部金属电极层;第二纳米电容,包括第二硅衬底、第二隔离介质、第二底部金属电极层和第二顶部金属电极层,第二纳米电容开设有第一连接孔和第二连接孔,并且第一连接孔导通至第一顶部金属电极层,第二底部金属电极层通过第一连接孔与第一底部金属电极层电连接,从而在设置第二底部金属电极层的时候,就通过第一连接孔与第一底部金属电极层电连接,使加工工艺更加简单,并且缩短了制备集成结构的时间,加快了生产效率。另外,本发明还提供了三维集成结构的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 三维 集成 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的