[发明专利]一种GaN器件及其生成方法、SiC衬底的剥离方法及其剥离装置在审
| 申请号： | 202110105119.5 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112885723A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 周炳;翁加付;王源政;闵财荣 | 申请（专利权）人： | 德兴市意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/337;H01L21/338;H01L29/80;H01L29/812;H01L29/778;H01L29/20;H01L21/02;H01L21/67;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 334200 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种一种GaN器件及其生成方法、SiC衬底的剥离方法及其剥离装置，所述GaN器件的生成方法包括：在SiC衬底上形成Nb |
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| 搜索关键词： | 一种 gan 器件 及其 生成 方法 sic 衬底 剥离 装置 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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