[发明专利]半导体结构分析方法有效
| 申请号： | 202110105536.X | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112903800B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 尹圣楠;袁安东;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构分析方法，包括：提供一绝缘体上的基底，基底包括上半导体层、下半导体层，以及位于上半导体层和下半导体层之间的氧化层；上半导体层的表面形成测试区块；刻蚀测试区块形成刻蚀槽，刻蚀槽贯穿上半导体层和氧化层；向刻蚀槽填充导电介质形成导电通路；以及利用二次离子质谱分析方法对测试区块进行分析。如此配置，在形成的刻蚀槽中填充导电介质形成导电通路，以连接上半导体层和下半导体层，从而消除测试区块富集大量正电荷形成的电场，在进行二次离子质谱分析时，使二次离子可正常偏向接收器。进一步，通过研究所述测试区块和基底的二次离子信号频谱图，可大致确定氧化层于基底中的位置和氧化层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 分析 方法 | ||
【主权项】：
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