[发明专利]低浓度二氧化氯高效诱导菊花一步成苗的方法有效
| 申请号： | 202110105712.X | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112586358B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 段永波;田晨;张泽宇;赵丰兰;薛涛;薛建平 | 申请（专利权）人： | 淮北师范大学 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 235000 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了低浓度二氧化氯高效诱导菊花一步成苗的方法，在菊花培养基中添加低浓度二氧化氯，诱导菊花茎叶与根系同时生长，不需分阶段培养即可完成菊花组织培养；所述的二氧化氯浓度1～20μg/L，所述的培养基含有或不含有外源激素，培养20天即可获得生长健壮且根系发达的菊花植株，移栽成活率达到100%。本发明通过低浓度二氧化氯促进植株生长和生根，在高效诱导菊花高效再生的同时，摆脱了当前组培中对外源激素的依赖，无环境安全性风险，降低生产成本，实现菊花快繁的一步成苗，适用于规模化菊花组培苗的生产，提高产业价值。 | ||
| 搜索关键词： | 浓度 氧化 高效 诱导 菊花 一步 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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