[发明专利]一种减少硅污染的多晶料合成方法在审
| 申请号： | 202110106448.1 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113005515A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 许振华;李勇 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/42 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减少硅污染的多晶料合成方法，涉及多晶合成技术领域。本发明的一种减少硅污染的多晶料合成方法，所述合成方法具体为：将垫板和氮化硼盖板分别放置于稼容器的底部和容器口，然后将稼容器推入石英管管尾，在石英管中放入砷容器，对石英管抽真空，焊接密封，采用分段加热进行多晶料的合成。本发明公开了一种减少硅污染的多晶料合成方法，能够有效的降低合成的砷化镓多晶中硅含量，且得到产品性能大幅提升，满足半绝缘半导体的生产需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 污染 多晶 合成 方法 | ||
【主权项】：
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