[发明专利]一种铌酸锂横模光隔离器在审
| 申请号： | 202110106897.6 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112764247A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 李明轩;赵奕儒;戴双兴;李金野;刘建国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09;G02F1/095 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种铌酸锂横模光隔离器，包括一体成型的第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)、第一耦合器(3)及第二耦合器(4)，第一耦合器(3)及第二耦合器(4)分别形成在第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)的两端，第一干涉臂(1)、第二干涉臂(2)沿长度方向均至少包括互易波导、非互易波导，其中：第一干涉臂(1)的互易波导与第二干涉臂(2)的互易波导长度不同；非互易波导包括磁光波导和铌酸锂波导，磁光波导和铌酸锂波导沿宽度方向并排形成。本发明具有隔离度高，波导耦合效率高，器件尺寸小，易于集成等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂横模光 隔离器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110106897.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
