[发明专利]包括超晶格图案的半导体器件在审
| 申请号： | 202110106943.2 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113571581A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 慎一揆;金旻怡;姜明吉;金真范;李承勋;赵槿汇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和第二区域；第一有源图案，从第一区域向上延伸；第一超晶格图案，在第一有源图案上；第一有源鳍，居中设置在第一有源图案上；第一栅电极，设置在第一有源鳍上；以及第一源极/漏极图案，设置在第一有源鳍的相对侧和第一有源图案上。第一超晶格图案包括至少一个第一半导体层和至少一个第一含阻挡剂层，以及第一含阻挡剂层包括氧、碳、氟和氮中的至少一种。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 晶格 图案 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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