[发明专利]一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法在审
| 申请号： | 202110108281.2 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112919405A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王俊强;曹钎龙;李孟委;吴倩楠;余建刚 | 申请（专利权）人： | 中北大学南通智能光机电研究院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01H49/00;H01H59/00 |
| 代理公司： | 太原荣信德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 14119 | 代理人： | 杨凯;连慧敏 |
| 地址： | 226000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于射频微电子机械系统封装技术领域，具体涉及一种RF MEMS开关的原位薄膜封装方法，包括下列步骤：提供一未释放牺牲层的RF MEMS开关晶圆，在衬底上完成信号线和悬臂梁的结构的制作；对晶圆进行第一次匀胶、光刻、显影工艺；在晶圆上沉积一层薄膜；对晶圆进行第二次匀胶、光刻工艺，并留出释放孔位置；对释放孔位置进行刻蚀工艺；进行氧气等离子体工艺；再次沉积一层薄膜。本发明通过在未释放晶圆上，通过两次匀胶、两次光刻、两次镀膜工艺实现开关的原位薄膜封装工艺，并且本发明采用氩气等离子实现释放孔的刻蚀，采用氧等离子体实现牺牲层的释放，能够保证开关的射频性能，同时提高开关的工作可靠性。本发明用于RF MEMS开关的原位薄膜封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 rf mems 开关 原位 薄膜 封装 方法 | ||
【主权项】：
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