[发明专利]在电磁干扰的存在下的高精度和高稳定性磁位移传感器在审

专利信息
申请号: 202110109507.0 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN113310393A 公开(公告)日: 2021-08-27
发明(设计)人: 塞巴斯蒂安·蒂克西尔;迈克尔·休斯 申请(专利权)人: 霍尼韦尔有限公司
主分类号: G01B7/02 分类号: G01B7/02;G01B7/06
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 蒋骏;陈岚
地址: 加拿大安大略*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明题为在电磁干扰的存在下的高精度和高稳定性磁位移传感器。本发明提供了一种准确并且稳定的位移传感器,该准确并且稳定的位移传感器通过经涂覆的金属基底读取、实现了优于一微米的精度,该准确并且稳定的位移传感器包括:电磁线圈,该电磁线圈定位在第一壳体中;(ii)装置,该装置用于由该电磁线圈产生磁场;(iii)第二壳体,该第二壳体与该第一壳体间隔开,其中该第二壳体包括被配置为测量磁场的双磁传感器,诸如磁通门传感器;以及(iv)装置,该装置用于由磁场测量结果计算该壳体的操作表面之间的间距。可使用永磁体来代替电磁线圈和相关联的驱动能量源。精确位移测量结果由两个磁传感器解调的信号的数学函数(诸如比率或差值)给出。该位移传感器可安装在可操纵的C型框架上,以监测制备用于锂离子蓄电池的阳极和阴极的卡厚。
搜索关键词: 电磁 干扰 在下 高精度 稳定性 位移 传感器
【主权项】:
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