[发明专利]半导体扩散用施主源材料、施主源扩散纸及其制备方法和应用在审
申请号: | 202110110310.9 | 申请日: | 2021-01-27 |
公开(公告)号: | CN114005741A | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 石坚 | 申请(专利权)人: | 济宁九德半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 于晓晓 |
地址: | 273200 山东省济宁市泗水*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种半导体扩散用施主源材料、施主源扩散纸及其制备方法和应用,施主源材料包括施主源和成膜剂,其中施主源包括施主物质和辅助物质,辅助物质为元素M1的氧化物、氮化物、氯化物、硫化物、氟化物、溴化物、碘化物和/或其他半导体氧化扩散过程中可生成元素M1的氧化物的物质,元素M1为Al、Ga、In、Sb、Bi中的至少一种,施主源扩散纸为施主源材料固化后形成的膜层,可用于半导体衬底的N型扩散。采用本发明提供的施主源材料或扩散纸扩散后的器件抗静电能力明显增强,降低扩散后方块电阻、改善正向压降。 | ||
搜索关键词: | 半导体 扩散 施主 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于济宁九德半导体科技有限公司,未经济宁九德半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110110310.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造