[发明专利]半导体扩散用施主源材料、施主源扩散纸及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202110110310.9 申请日: 2021-01-27
公开(公告)号: CN114005741A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 石坚 申请(专利权)人: 济宁九德半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/225 分类号: H01L21/225
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 于晓晓
地址: 273200 山东省济宁市泗水*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种半导体扩散用施主源材料、施主源扩散纸及其制备方法和应用,施主源材料包括施主源和成膜剂,其中施主源包括施主物质和辅助物质,辅助物质为元素M1的氧化物、氮化物、氯化物、硫化物、氟化物、溴化物、碘化物和/或其他半导体氧化扩散过程中可生成元素M1的氧化物的物质,元素M1为Al、Ga、In、Sb、Bi中的至少一种,施主源扩散纸为施主源材料固化后形成的膜层,可用于半导体衬底的N型扩散。采用本发明提供的施主源材料或扩散纸扩散后的器件抗静电能力明显增强,降低扩散后方块电阻、改善正向压降。
搜索关键词: 半导体 扩散 施主 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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