[发明专利]一种光电阴极及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202110110372.X | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112951683A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 黄珊珊;黄辉廉;刘雪珍;刘建庆;杨文奕 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/34 | 分类号： | H01J1/34;H01J40/06;H01J9/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电阴极及其制备方法与应用，该光电阴极包括衬底层和在衬底层表面刻蚀形成的纳米柱阵列；所述纳米柱阵列表面有量子点和金属纳米颗粒。有效接收了来自不同入射方向的光，量子点增加了吸光面积，阵列化光陷阱增强了光吸收；在径向可提供给光电子一条直接的传输通道，光电子能轻易从阴极体内运行到表面；其具有较大的表面积，可有效提高光电子的表面逸出几率，展现出了较大的光电流以及较快的响应速度等特性；同时表面修饰金、银等金属颗粒，在量子点表面产生等离子体效应，促进了光的吸收；金属颗粒还会与量子点形成异质结，促进了光电子的传递，有效提高了光电阴极的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光电 阴极 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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