[发明专利]位线两侧气隙及半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202110110558.5 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112928064A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;刘卫兵;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及半导体制造领域，具体公开了一种位线两侧气隙及半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成多条位线；在每条位线的两侧形成上部开口的气隙；采用物理气相沉积工艺形成盖帽层，以封闭所述上部开口。本申请采用台阶覆盖性较差的物理气相沉积工艺形成盖帽层，避免气隙尺寸的减小，抑制了寄生电容的产生，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 两侧 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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