[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110111646.7 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114823614A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 刘继全 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，结构包括：提供衬底，所述衬底内具有导电层，所述衬底暴露出导电层表面；在衬底上形成牺牲层；在牺牲层内形成第一开口，所述第一开口暴露出部分导电层表面；形成第一开口之后，在第一开口内形成电互连结构，所述电互连结构填充满所述第一开口；形成电互连结构之后，去除所述牺牲层，在电互连结构之间形成第二开口；在第二开口内形成第一介质层，所述第一介质层封闭所述第二开口顶部以形成为密闭腔。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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