[发明专利]基于直立式二维薄膜材料的光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开一种直立式二维薄膜材料的光电探测器及其制备方法。制备方法包括：在基底上制作形成第一电极层；在所述第一电极层上制作形成纳米片阵列，所述纳米片阵列由直立式二维半导体材料形成，所述纳米片与纳米片之间具有一定的间隙，在所述纳米片阵列上进行匀胶，以在所述纳米片阵列的间隙中形成绝缘胶层，且所述绝缘胶层设置于所述间隙暴露的第一电极层上；在所述纳米片阵列和所述绝缘胶层上制作形成第二电极层。制作形成直立式的纳米片阵列，3D直立式纳米片阵列具有较好的陷光效应，极大提高探测器的外量子效率及光响应度，在纳米片阵列的间隙中设置绝缘胶层，避免上下两电极层通过间隙直接发生导通，从而保证光电探测器的稳定性与可行性。