[发明专利]柱状电容结构、半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110113934.6 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114824077A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 许民;张铉瑀;吴容哲;杨涛;贺晓彬;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种柱状电容结构，包括：多个阵列排布的柱状电极，其中，在每个所述柱状电极的外壁上设置有支撑件，所述柱状电极的顶部与位于顶层的所述支撑件中的顶部平齐；多个所述支撑件呈网状或者格子结构；介电层，覆盖于所述柱状电极和支撑件的外表面；上电极层，覆盖于所述介电层上。柱体电极外壁上的支撑件对柱体具有稳固作用，即使电容结构的纵横比很高，也能防止电容结构倾倒，提高了半导体器件的品质，并且工艺成本低，容易实现。 | ||
| 搜索关键词： | 柱状 电容 结构 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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