[发明专利]半导体结构及其制作方法以及DRAM在审
| 申请号： | 202110113945.4 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN114824078A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张铉瑀;许民;吴容哲;李俊杰;周娜;李琳;王佳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种半导体结构及其制作方法以及DRAM，涉及半导体技术领域，包括半导体衬底；多个下电极，下电极形成在半导体衬底的至少部分区域上；多个下电极分布为多排结构，且相邻排下电极相互交错排布；至少一层支撑件，所述支撑件包括多个支撑开口，每个所述支撑开口均经过可围成六棱形的多个相邻下电极，且该围成六棱形的相邻下电极属于相邻三排。在上述技术方案中，通过将单个支撑开口同时连接相邻近的更多数量下电极，此时便需要支撑开口具备相当的面积，即便整体半导体结构进行缩小化处理，下电极和相应的支撑开口均相应的缩小，由此单个支撑开口所连接的下电极数量维持在较多的水平。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 以及 dram | ||
【主权项】：
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